BZT52B8V7_R1_00001
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Panjit BZT52B8V7_R1_00001

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型号

BZT52B8V7_R1_00001

品牌

Panjit

utmel 编号

1854-BZT52B8V7_R1_00001

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

SOD-123

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Zener Diode,

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BZT52B8V7_R1_00001
BZT52B8V7_R1_00001 Panjit Zener Diode,

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BZT52B8V7_R1_00001详情

Panjit BZT52B8V7_R1_00001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOD-123

  • 引脚数

    2

  • 供应商器件包装

    SOD-123

  • Power Dissipation (Max)

    410 mW

  • RoHS

    Compliant

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Impedance (Max) (Zzt)

    7 Ohms

  • 厂商

    Panjit International Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Zz - Zener Impedance

    7 Ohms

  • Pd - Power Dissipation

    410 mW

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Vz - Zener Voltage

    8.7 V

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 容差

    ±1.95%

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 配置

    Single

  • 元素配置

    Single

  • 反向泄漏电流@ Vr

    100 nA @ 6.5 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    900 mV @ 10 mA

  • 功率 - 最大

    410 mW

  • 最大反向漏电电流

    100 nA

  • 测试电流

    5 mA

  • 电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

    8.7 V

  • 齐纳电压

    8.7 V

  • 齐纳电流

    100 nA

  • 辐射硬化

    无

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BZT52B8V7_R1_00001拓展信息

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