Panjit MMBT3904_R1_00001

表面安装

YES

包装/外壳

SOT-23-3

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

SOT-23

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

MMBT3904_R1_00001

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

PAN JIT INTERNATIONAL INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Risk Rank

5.13

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Turn-off Time-Max (toff)

250 ns

Turn-on Time-Max (ton)

70 ns

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

225 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

100 at 10 mA, 1 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Unit Weight

0.000296 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Panjit

Maximum DC Collector Current

200 mA

DC Current Gain hFE Max

300 at 10 mA, 1 V

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

40 V

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Current-Collector (Ic) (Max)

200 mA

厂商

Panjit International Inc.

Product Status

活跃

系列

GPT-03TN

包装

MouseReel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

功率 - 最大

225 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

60 V

集电极电流-最大值(IC)

0.2 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

200 mA

集电极-发射器电压-最大值

40 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT