Panjit MMDT4413_R1_00001

包装/外壳

SOT-363-6

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

SOT-363

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V, 5 V

Pd - Power Dissipation

225 mW

Transistor Polarity

NPN, PNP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

100

Collector-Emitter Saturation Voltage

750 mV

Unit Weight

0.000280 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

250 MHz, 200 MHz

Manufacturer

Panjit

Brand

Panjit

Maximum DC Collector Current

600 mA

DC Current Gain hFE Max

300

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

40 V

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

厂商

Panjit International Inc.

Product Status

活跃

系列

DT-03TS

包装

MouseReel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Dual

功率 - 最大

225mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN, PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

频率转换

250MHz, 200MHz

集电极基极电压(VCBO)

60 V, 40 V

连续集电极电流

- 600 mA, 600 mA

产品类别

Bipolar Transistors - BJT