参数名
参数值
参数名
参数值
包装/外壳
DPAK-3
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
SOD-123FL
Forward Transconductance - Min
4.1 S
Channel Mode
Enhancement
Part # Aliases
FQD8P10TM_NL
Manufacturer
onsemi
Brand
onsemi / Fairchild
Qg - Gate Charge
15 nC
Id - Continuous Drain Current
6.6 A
Typical Turn-Off Delay Time
20 ns
RoHS
Details
Rds On - Drain-Source Resistance
530 mOhms
Mounting Styles
SMD/SMT
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2500
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Unit Weight
0.011640 oz
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Transistor Polarity
P-Channel
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V
Typical Turn-On Delay Time
11 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Breakdown Voltage / V
17.2 V
Vesd - Voltage ESD Contact
30 kV
Ipp - Peak Pulse Current
8.6 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
200 W
Vesd - Voltage ESD Air Gap
30 kV
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
厂商
Panjit International Inc.
Product Status
活跃
包装
MouseReel
系列
FQD8P10
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
类型
MOSFET
应用
通用型
子类别
MOSFETs
技术
Si
终端样式
SMD/SMT
工作电压
14 V
极性
单向
配置
Single
通道数量
1 Channel
电源线保护
无
电压 - 击穿
15.6V
功率 - 脉冲峰值
200W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
8.6A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
23.2V
箝位电压
23.2 V
电压 - 反向断态(典型值)
14V
单向通道
1
上升时间
110 ns
产品类别
MOSFET
晶体管类型
1 P-Channel
电容@频率
-
产品类别
MOSFET
长度
6.73 mm
高度
2.39 mm
宽度
6.22 mm