对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 供应商器件包装 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 系列 | 子类别 | 技术 | 配置 | 通道数量 | 场效应管类型 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 产品类别 | 晶体管类型 | 场效应管特性 | 产品类别 | |||||||||||||||||||||||
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PJD6NA70_L2_00001 | Panjit | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | TO-252AA-3 | TO-252 | 700 V | 25 ns | 4 V | 128 W | N-Channel | + 150 C | - 30 V, + 30 V | 0.010476 oz | Panjit International Inc. | - 55 C | 3000 | SMD/SMT | Enhancement | Panjit | Panjit | 16.5 nC | 1.7 Ohms | Details | 49 ns | 6 A | 活跃 | 128W (Tc) | 10V | 6A (Ta) | 4V @ 250µA | -55°C ~ 150°C (TJ) | Reel | NFET-700SMN | MOSFETs | Si | Single | 1 Channel | N-Channel | 1.7Ohm @ 3A, 10V | 831 pF @ 25 V | 16.5 nC @ 10 V | 38 ns | 700 V | ±30V | MOSFET | 1 N-Channel | - | MOSFET |


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