PJF10NA80_T0_00001
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Panjit PJF10NA80_T0_00001

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型号

PJF10NA80_T0_00001

品牌

Panjit

utmel 编号

1854-PJF10NA80_T0_00001

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

800V N-CHANNEL MOSFET

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PJF10NA80_T0_00001 Panjit 800V N-CHANNEL MOSFET

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PJF10NA80_T0_00001详情

Panjit PJF10NA80_T0_00001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 供应商器件包装

    ITO-220AB

  • Dimensions

    D1,9x3,4mm

  • Insulation Voltage

    300 V

  • RoHS

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    10A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    Panjit International Inc.

  • Power Dissipation (Max)

    60W (Tc)

  • Product Status

    Obsolete

  • 系列

    n/a

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 容差

    ±1 %

  • 电阻

    270 Ohm

  • 组成

    Metal Film

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 终端样式

    Axial

  • 注意

    n/a

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.15Ohm @ 5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1517 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    31 nC @ 10 V

  • 大小

    0204

  • 漏源电压 (Vdss)

    800 V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 场效应管特性

    -

  • 额定功率

    0,4 W

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PJF10NA80_T0_00001拓展信息

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