Panjit PJP60R190E_T0_00001

安装类型

THT Angled

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220AB

RoHS

有

Unit Weight

0.061458 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

50

Manufacturer

Panjit

Brand

Panjit

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.1A (Ta), 20A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Panjit International Inc.

Power Dissipation (Max)

2W (Ta), 231W (Tc)

Product Status

不用于新设计

系列

SEK

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

终端

Solder

行数

2

子类别

MOSFETs

螺距

2,54 mm

技术

Si

行间距

2,54 mm

注意

-

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

196mOhm @ 10A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1421 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

62 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±20V

产品类别

MOSFET

场效应管特性

-

特征

-

产品类别

MOSFET