Philips 03T

工厂交货时间

15 Weeks

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

3 A

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Manufacturer Part Number

IRLML5203TRPBF

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

LEAD FREE, MICRO-3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Part Life Cycle Code

活跃

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

1.06

Rohs Code

有

Samacsys Description

MOSFET P-Ch 30V 3A HEXFET Low Ron Micro3 Infineon IRLML5203TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 3 A, 30 V, 3-Pin SOT-23

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.098 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.25 W