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首页 分立半导体产品 晶体管 - 特殊用途 PHD6N10E
PHD6N10E
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Philips Semiconductors PHD6N10E

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型号

PHD6N10E

品牌

Philips Semiconductors

utmel 编号

1891-PHD6N10E

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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PHD6N10E
PHD6N10E Philips Semiconductors Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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PHD6N10E详情

技术参数

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Philips Semiconductors PHD6N10E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 表面安装

    YES

  • Rohs Code

    无

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    飞利浦半导体

  • Package Description

    ,

  • Drain Current-Max (ID)

    6.3 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • Reach合规守则

    unknown

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    50 W

0个相似型号

技术文档: Philips Semiconductors PHD6N10E.

PHD6N10E拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

BSN274

型号：BSN274

封装：--

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