Powerex Inc. CM75DU-12F

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

7

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600V

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~150°C TJ

系列

IGBTMOD™

已出版

2000

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

7

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

290W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

额定电流

75A

配置

半桥

功率耗散

450W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.2V

最大集电极电流

75A

最大集极截止电流

1mA

输入电容

20nF

最大击穿电压

600V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 75A

IGBT类型

Trench

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

20nF @ 10V

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

符合RoHS标准