FF800R17KP4_B2
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Power Integrations FF800R17KP4_B2

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型号

FF800R17KP4_B2

utmel 编号

1932-FF800R17KP4_B2

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Modules IGBT 1700V 800A

起订量

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FF800R17KP4_B2
FF800R17KP4_B2 Power Integrations IGBT Modules IGBT 1700V 800A

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FF800R17KP4_B2详情

Power Integrations FF800R17KP4_B2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    10

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    MODULE-10

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    790 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    1650 ns

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    FF800R17KP4_B2

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    1.37

  • Part Package Code

    MODULE

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    10

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X10

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大耗散功率(Abs)

    4850 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    1200 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1700 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.2 V

0个相似型号

FF800R17KP4_B2拓展信息

PSII 15/12
PSII 15/12

POWERSEM

PSIS 50/06
PSIS 50/06

POWERSEM

PSIS 100/06
PSIS 100/06

POWERSEM

PSII 6/12
PSII 6/12

POWERSEM

PSSI 25/12
PSSI 25/12

POWERSEM

PSIS 50/12
PSIS 50/12

POWERSEM

PSI 100/06
PSI 100/06

POWERSEM

PSIS 75/06
PSIS 75/06

POWERSEM

PSSI 50/12
PSSI 50/12

POWERSEM

PSSI 100/06
PSSI 100/06

POWERSEM

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