Power Integrations FF800R17KP4_B2
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FF800R17KP4_B2
1932-FF800R17KP4_B2
晶体管 - IGBT - 模块
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大陆
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IGBT Modules IGBT 1700V 800A
1最小包装量--
FF800R17KP4_B2详情
Power Integrations FF800R17KP4_B2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
10
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
MODULE-10
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
UNSPECIFIED
Turn-on Time-Nom (ton)
790 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
1650 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
FF800R17KP4_B2
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
1.37
Part Package Code
MODULE
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
10
JESD-30代码
R-XUFM-X10
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
4850 W
集电极电流-最大值(IC)
1200 A
集电极-发射器电压-最大值
1700 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.2 V
FF800R17KP4_B2拓展信息
POWERSEM
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