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技术文档
型号
W19B160BTT7M
品牌
Pulse
utmel 编号
1969-W19B160BTT7M
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
W19B160BTT7M datasheet pdf and Unclassified product details from Pulse stock available at utmel
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W19B160BTT7M详情
技术参数
Pulse W19B160BTT7M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
触点镀层
Lead, Tin
底架
通孔
表面安装
YES
终端数量
48
RoHS
Non-Compliant
Package Description
12 X 20 MM, GREEN, TSOP-48
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP48,.8,20
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
TSOP1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Winbond Electronics Corp
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
WINBOND ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.62
Part Package Code
TSOP
容差
1 %
ECCN 代码
EAR99
温度系数
50 ppm/°C
类型
NOR型号
电阻
49.9 kΩ
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
组成
Metal Film
HTS代码
8542.32.00.51
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
军用标准
MIL-PRF-55182
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
组织结构
1MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.000005 A
记忆密度
16777216 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
备用内存宽度
8
数据轮询
拨动位
命令用户界面
扇区/尺寸数
1,2,1,31
行业规模
16K,8K,32K,64K
准备就绪/忙碌
引导模块
TOP
通用闪存接口
长度
7.62 mm
直径
2.39 mm
宽度
12 mm
W19B160BTT7M拓展信息
公司资质
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