Pulse Electronics Corporation 5.0SMDJ11A

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

外壳材料

1

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

transistor/transistor

Max. off-state voltage

0.6kV

Collector current

75A

Case

MiniSKiiP® 2

Electrical mounting

Press-Fit

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

150A

Mechanical mounting

screw

Gross weight

55 g

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

PULSE ELECTRONICS CORP

Package Description

SMC, 2 PIN

Breakdown Voltage-Nom

12.85 V

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

ECCN 代码

EAR99

附加功能

EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PDSO-C2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

拓扑

IGBT three-phase bridge,

Rep Pk反向电压-最大值

11 V

JEDEC-95代码

DO-214AB

最大非代表峰值转速功率Dis

5000 W

击穿电压-最小值

12.2 V

最大箝位电压

18.2 V

输出范围

6.5 W

第二个连接器加载的位置数

for UPS,

击穿电压-最大值

13.5 V

饱和电流

1