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技术文档
型号
FPD6836P70
品牌
Qorvo
utmel 编号
1980-FPD6836P70
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Transistor, Low Noise, 0.5 to 18 GHz, 22 dBm, 19 dB, 5 V, Micro X, AlGaAs/InGaAs
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FPD6836P70详情
技术参数
Qorvo FPD6836P70重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Package Style
磁盘按钮
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Operating Temperature-Max
175 °C
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
RF Micro Devices Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RF MICRO DEVICES INC
Risk Rank
5.72
ECCN 代码
5A991.G
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
FET 射频小信号
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
JESD-30代码
O-CRDB-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
8 V
场效应管技术
高电子迁移率
最高频段
Ku波段
环境耗散-最大值
0.55 W
功率增益-最小值(Gp)
14 dB
达到SVHC
unknown
FPD6836P70拓展信息
公司资质
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