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技术文档
型号
QPD1020SR
品牌
Qorvo
utmel 编号
1980-QPD1020SR
商品类别
晶体管 - FET，MOSFET - 射频
封装
DFN-8
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
RF MOSFET Transistors 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB
起订量
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QPD1020SR详情
技术参数
Qorvo QPD1020SR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
包装/外壳
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Id - Continuous Drain Current
100 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
50 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Mounting Styles
SMD/SMT
Moisture Sensitive
有
Pd - Power Dissipation
30 W
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
100
Vgs - Gate-Source Voltage
- 2.8 V
Part # Aliases
QPD1020
Unit Weight
0.412264 oz
Rds On - Drain-Source Resistance
-
包装
切割胶带
系列
类型
射频小信号MOSFET
工作频率
2.7 GHz to 3.5 GHz
通道数量
1 Channel
输出功率
31 W
增益
18.4 dB
QPD1020SR拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号：TGF2929-FL
封装：NI-360
品牌：Qorvo
库存：0
型号：TGF2929-FS
型号：TGF3020-SM
封装：QFN-16
型号：TGF3021-SM
封装：QFN-20
型号：QPD1020
封装：--
型号：QPD2018D
封装：0.41 mm x 0.34 mm
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