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首页 分立半导体产品 晶体管 - 特殊用途 QPD1035
QPD1035
QPD1035

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Qorvo QPD1035

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  • 对比

型号

QPD1035

品牌

Qorvo

utmel 编号

1980-QPD1035

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

GaN FETs 30W, DC - 6GHz

起订量

1最小包装量--

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QPD1035
QPD1035 Qorvo GaN FETs 30W, DC - 6GHz

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QPD1035详情

技术参数

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Qorvo QPD1035重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • RoHS

    符合RoHS标准

  • Mounting Styles

    Flanged

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 85 C

  • Pd - Power Dissipation

    50.4 W

  • Development Kit

    QPD1035EVB0- 50V, QPD1035LEVB0-50V

  • Maximum Drain Gate Voltage

    145 V

  • Maximum Operating Frequency

    6 GHz

  • Minimum Operating Frequency

    DC

  • Factory Pack Quantity

    50

  • 包装

    Reel

  • 系列

    QPD1035

  • 类型

    Power Transistor

  • 输出功率

    50 W

  • 增益

    12.1 dB

0个相似型号

技术文档: Qorvo QPD1035.

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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