Qualcomm B39871B9948P810

安装类型

表面贴装

包装/外壳

PLUS-220SMD

供应商器件包装

PLUS-220SMD

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

52A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

400W (Tc)

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

5000

Manufacturer

Qualcomm RF360

Brand

RF360

RoHS

Details

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

PolarHT™ HiPerFET™

包装

Tube

零件状态

Obsolete

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

66 mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3490pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

300V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

--

产品类别

Qualcomm