Qualcomm BC040E20Z00

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供应商器件包装

TO-262

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

208W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

aMOS™

包装

Tube

零件状态

不用于新设计

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

290 mOhm @ 7.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

841pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.2nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

±30V

场效应管特性

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