Renesas 2SJ199-T1-AZ

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

62

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

360 ns

Number of Elements

1

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PLZZ0004CC-A3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SJ199-T1-AZ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.72

Part Package Code

POMM

Drain Current-Max (ID)

1 A

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-F3

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

45 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

36 ns

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

1 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1 A

漏极-源极导通最大电阻

2.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

2 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W

辐射硬化

无

达到SVHC

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