Renesas 2SJ202-T1-A

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current

0.1(A)

Drain-Source On-Volt

16(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

SC-70

Operating Temp Range

-55C to 150C

Gate-Source Voltage (Max)

±7(V)

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

表面贴装

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PTSP0003JA-A3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SJ202-T1-A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

7.91

Part Package Code

SSP

Drain Current-Max (ID)

0.1 A

包装

卷带

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

小信号

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

Brand Name

Renesas

极性

P

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

0.15(W)

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1 A

漏极-源极导通最大电阻

100 Ω

DS 击穿电压-最小值

16 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.15 W