Renesas 2SJ217-E

底架

通孔

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

670 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SJ217-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.39

Part Package Code

TO-3P

Drain Current-Max (ID)

45 A

JESD-609代码

e2

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

30 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

235 ns

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

45 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

45 A

漏极-源极导通最大电阻

0.06 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

辐射硬化

无