Renesas 2SJ356AZ

表面安装

YES

引脚数

62

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PLZZ0004CC-A3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SJ356-AZ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.33

Part Package Code

POMM

Drain Current-Max (ID)

2 A

JESD-609代码

e6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn98Bi2)

附加功能

防静电

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

2 A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2 A

漏极-源极导通最大电阻

0.95 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W

无铅

无铅