2SJ496TZ-E详情
Renesas 2SJ496TZ-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Package Style
CYLINDRICAL
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
PRSS0003DC-A3
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
2SJ496TZ-E
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
7.96
Part Package Code
TO-92 Mod
Drain Current-Max (ID)
5 A
JESD-609代码
e2
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5 A
漏极-源极导通最大电阻
0.24 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.9 W
2SJ496TZ-E拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas
Renesas Electronics America
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