注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
2SJ528STL-E
品牌
Renesas
utmel 编号
2038-2SJ528STL-E
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
2SJ528STL-E datasheet pdf and Unclassified product details from Renesas stock available at utmel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
2SJ528STL-E详情
技术参数
Renesas 2SJ528STL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Time
20
Manufacturer Package Code
PRSS0004ZD-C4
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.34
Part Package Code
DPAK(S)
Drain Current-Max (ID)
7 A
JESD-609代码
e6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铋
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
Brand Name
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.37 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
28 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
20 W
2SJ528STL-E拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)