2SJ550STL-E详情
Renesas 2SJ550STL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Number of Elements
1
Package
Bulk
厂商
Renesas Electronics America Inc
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
PRSS0004AE-B4
Reflow Temperature-Max (s)
20
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
2SJ550STL-E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.37
Part Package Code
LDPAK(S)-(1)
Drain Current-Max (ID)
15 A
包装
卷带
系列
*
JESD-609代码
e6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铋
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
50 W
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
15 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
15 A
漏极-源极导通最大电阻
0.155 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
50 W
辐射硬化
无
无铅
无铅
2SJ550STL-E拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America








哦! 它是空的。