Renesas 2SJ621-T1B-A

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PTSP0003ZC-A3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SJ621-T1B-A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.65

Part Package Code

TMM

Drain Current-Max (ID)

3.5 A

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G3

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.062 Ω

DS 击穿电压-最小值

12 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.25 W

达到SVHC

compliant