Renesas 2SJ676

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2SJ676

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Risk Rank

5.39

Part Life Cycle Code

终身购买

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Drain Current-Max (ID)

2.5 A

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5 A

漏极-源极导通最大电阻

2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

191 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.3 W