2SJ77-E详情
Renesas 2SJ77-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rating (DC)
-160 V
RoHS
Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
PRSS0004AC-A4
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
2SJ77-E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.75
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
0.5 A
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-45 °C
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
其他晶体管
最大功率耗散
30 W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
额定电流
-500 mA
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
160 V
极性/通道类型
P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
500 mA
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.5 A
输入电容
120 pF
DS 击穿电压-最小值
160 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.75 W
辐射硬化
无
无铅
无铅
2SJ77-E拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas
Renesas Electronics America
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