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技术文档
型号
2SK1329-E
品牌
Renesas
utmel 编号
2038-2SK1329-E
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Silicon N Channel MOSFET
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2SK1329-E详情
技术参数
Renesas 2SK1329-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
12 A
Ihs Manufacturer
RENESAS TECHNOLOGY CORP
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Manufacturer Package Code
PRSS0003ZA-A3
Manufacturer Part Number
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Part Life Cycle Code
Obsolete
Part Package Code
TO-3PFM
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
5.39
Rohs Code
有
JESD-609代码
e2
无铅代码
端子表面处理
锡铜
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
Brand Name
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.6 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
48 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
60 W
2SK1329-E拓展信息
公司资质
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