Renesas 2SK1334-BY(TL-E)

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

10 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PLZZ0004CA-A4

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SK1334BYTL-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.25

Part Package Code

UPAK

Drain Current-Max (ID)

1 A

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

8 ns

漏源电压 (Vdss)

200 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

1 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1 A

漏极-源极导通最大电阻

7 Ω

DS 击穿电压-最小值

200 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1 W

辐射硬化

无

无铅

无铅