Renesas 2SK1581-T1B-A

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

SC-59

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.6V @ 10µA

Product Status

Obsolete

Power Dissipation (Max)

200mW (Ta)

厂商

Renesas

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA (Ta)

Package

Bulk

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PLSP0003ZD-A3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SK1581-T1B-A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.7

Part Package Code

MM

Drain Current-Max (ID)

0.2 A

系列

-

操作温度

150°C

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G3

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5Ohm @ 1mA, 4V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

27 pF @ 3 V

漏源电压 (Vdss)

16 V

Vgs（最大值）

±16V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2 A

漏极-源极导通最大电阻

5 Ω

DS 击穿电压-最小值

16 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

场效应管特性

-

达到SVHC

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