Renesas 2SK2132-AZ

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

4 A

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Manufacturer Part Number

2SK2132-AZ

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Part Life Cycle Code

Obsolete

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.21

Rohs Code

有

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4 A

漏极-源极导通最大电阻

0.65 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16 A

DS 击穿电压-最小值

180 V

雪崩能量等级（Eas）

51.2 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.8 W