Renesas 2SK3229-E

工厂交货时间

1 Week

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

60

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

780 ns

Package

Bulk

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SK3229-E

Drain Current-Max (ID)

60 A

Part Package Code

TO-220AB

Risk Rank

5.18

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Part Life Cycle Code

终身购买

Number of Elements

1

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Package Shape

RECTANGULAR

系列

*

JESD-609代码

e2

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

80 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

280 ns

漏源电压 (Vdss)

80 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

60 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

60 A

漏极-源极导通最大电阻

0.012 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

35 W

辐射硬化

无

无铅

无铅