Renesas 2SK3377-Z-AZ

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

供应商器件包装

TO-252 (MP-3Z)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

厂商

Renesas

Power Dissipation (Max)

1W (Ta), 30W (Tc)

Product Status

Obsolete

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Time

未说明

Manufacturer Package Code

PRSS0004ZM-B3

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SK3377-Z-AZ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.47

Part Package Code

MP-3Z

Drain Current-Max (ID)

20 A

操作温度

150°C

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

44mOhm @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

760 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

20 A

漏极-源极导通最大电阻

0.078 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

30 W

场效应管特性

-