注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
2SK3390IXTB-E
品牌
Renesas
utmel 编号
2038-2SK3390IXTB-E
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Uhf Band Si N-channel Rf Power Mosfet
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
2SK3390IXTB-E详情
技术参数
Renesas 2SK3390IXTB-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
RP8P, 2 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.72
Drain Current-Max (ID)
1 A
ECCN 代码
EAR99
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
DS 击穿电压-最小值
17 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
20 W
最高频段
超高频段
2SK3390IXTB-E拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)