Renesas 2SK3435-Z-AZ

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

TO-263, TO-220SMD

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Product Status

Obsolete

Power Dissipation (Max)

1.5W (Ta), 84W (Tc)

厂商

Renesas

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A (Tc)

Package

Bulk

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSS0004AJ-B3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SK3435-Z-AZ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.42

Part Package Code

MP-25Z

Drain Current-Max (ID)

80 A

系列

-

操作温度

150°C

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14mOhm @ 40A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3200 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.022 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

96 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

达到SVHC

compliant