Renesas 2SK3634-AZ

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-251

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A (Tc)

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

Obsolete

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SK3634-AZ

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

NEC Electronics Group

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NEC ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.35

Part Package Code

TO-251

Drain Current-Max (ID)

6 A

系列

-

JESD-609代码

e6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铋

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.29.00.95

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

600mOhm @ 3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

270 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-251

漏极-源极导通最大电阻

0.6 Ω

DS 击穿电压-最小值

200 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

达到SVHC

compliant