Renesas 3N204

表面安装

NO

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

3N204

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Texas

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

Texas INC

Risk Rank

8.07

Drain Current-Max (ID)

0.05 A

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

O-MBCY-W4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DUAL GATE, DEPLETION MODE

箱体转运

SOURCE AND SUBSTRATE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-72

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.05 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

反馈上限-最大值 (Crss)

0.03 pF

最高频段

甚高频段

功率增益-最小值(Gp)

14 dB