70T659S10BF8
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Renesas 70T659S10BF8

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型号

70T659S10BF8

品牌

Renesas

utmel 编号

2038-70T659S10BF8

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

128K x 36 Async, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/Os

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70T659S10BF8 Renesas 128K x 36 Async, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/Os

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70T659S10BF8详情

Renesas 70T659S10BF8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    通孔

  • Voltage Rating (DC)

    200 V

  • RoHS

    Compliant

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 容差

    1 %

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    50 ppm/°C

  • 电阻

    53.6 kΩ

  • 最高工作温度

    155 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 组成

    Thin Film

  • 额定功率

    400 mW

  • 最大功率耗散

    400 mW

  • 记忆密度

    4.5

  • 特征

    Automotive AEC-Q200

  • 长度

    3.6068 mm

  • 直径

    1.6 mm

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

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70T659S10BF8拓展信息

RMLV0816BGSA-4S2#AA0
RMLV0816BGSA-4S2#AA0

Renesas Electronics America

R1LP0408DSP-5SI#B0
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Renesas Electronics America

71V416S12PHGI
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Renesas Electronics America Inc.

R1LP0408DSP-5SI#S0
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Renesas Electronics America

71V256SA15PZGI8
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Renesas Electronics America Inc.

IDT71V256SA15PZ
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Renesas Electronics America Inc.

R1LV0108ESN-5SI#B0
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71V416S15PHGI8
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RMLV0408EGSB-4S2#AA1
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R1LV0408DSB-5SI#B0
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