Renesas H5N2901FN-E

工厂交货时间

1 Week

表面安装

NO

引脚数

4

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Product Status

活跃

厂商

Renesas Electronics America Inc

Package

Bulk

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

H5N2901FN-E

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Package Code

PRSS0003AB-A4

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Drain Current-Max (ID)

18 A

Part Package Code

TO-220FN

Risk Rank

5.81

系列

*

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

18 A

漏极-源极导通最大电阻

0.091 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72 A

DS 击穿电压-最小值

290 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

30 W

达到SVHC

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