Renesas H5N3011P-E

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

7.98

Part Package Code

TO-3P

Drain Current-Max (ID)

88 A

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

H5N3011P-E

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Package Code

PRSS0004ZE-A4

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

JESD-609代码

e2

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

88 A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

88 A

漏极-源极导通最大电阻

0.048 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

176 A

DS 击穿电压-最小值

300 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W

辐射硬化

无

达到SVHC

compliant

无铅

无铅