Renesas H7N0308LSTL-E

包装/外壳

Cylinder

表面安装

YES

供应商器件包装

--

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

70 A

Part Package Code

SC-83

Risk Rank

5.29

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

H7N0308LSTL-E

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

小概要

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

操作温度

-40°C ~ 105°C

系列

MediaSensor™

JESD-609代码

e6

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铋

子类别

FET 通用电源

电压 - 供电

5V

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

输出量

0.5 V ~ 4.5 V

引脚数量

3

终端样式

Deutsch, 3 Pin

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

输出类型

Analog Voltage

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

准确性

±0.5%

晶体管应用

SWITCHING

工作压力

1500 PSI (10342.14 kPa)

压力类型

密封压力表

端口样式

Threaded

极性/通道类型

N-CHANNEL

端口尺寸

Female - 7/16 (11.11mm) UNF

最大漏极电流 (Abs) (ID)

70 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0085 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280 A

最大压力

--

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

100 W

特征

Amplified Output, Temperature Compensated

达到SVHC

compliant