Renesas H7N0311LD-E

安装类型

SMD

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Clamping Voltage (Max)

12 V

Reverse Stand-off Voltage

5 V

RoHS

有

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSS0004AE-A4

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

H7N0311LD-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.84

Part Package Code

LDPAK(L)

Drain Current-Max (ID)

45 A

系列

DVIULC6

ECCN 代码

EAR99

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

-

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

45 A

漏极-源极导通最大电阻

0.016 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

60 W

结构

bidirectional

达到SVHC

compliant