Renesas H7N0405LMTL-E

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

80 A

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Manufacturer Part Number

H7N0405LMTL-E

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Part Life Cycle Code

活跃

Reflow Temperature-Max (s)

20

Risk Rank

5.34

Rohs Code

有

JESD-609代码

e6

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铋

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

80 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0087 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

80 W