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技术文档
型号
H7P0601DSTL-E
品牌
Renesas
utmel 编号
2038-H7P0601DSTL-E
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Pch Single Power Mosfet -60V -20A 50Mohm DPAK(S)/To-252
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H7P0601DSTL-E详情
技术参数
Renesas H7P0601DSTL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
PRSS0004ZD-C4
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
8.51
Part Package Code
DPAK(S)
Drain Current-Max (ID)
20 A
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
Brand Name
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.05 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
25 W
H7P0601DSTL-E拓展信息
公司资质
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