HAF1004L详情
Renesas HAF1004L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
MSL
n/a
Package
19 Rack
RoHS
有
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
HAF1004L
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.31
Drain Current-Max (ID)
5 A
操作温度
-20...+75°C
系列
TSC
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
输出类型
single
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
注意
-
操作模式
增强型MOSFET
输出电流
6,5 A
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5 A
漏极-源极导通最大电阻
0.34 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
10 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
20 W
电源
715 W
HAF1004L拓展信息








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