HAF1004L
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Renesas HAF1004L

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型号

HAF1004L

品牌

Renesas

utmel 编号

2038-HAF1004L

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching

起订量

1最小包装量--

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HAF1004L
HAF1004L Renesas Silicon P Channel MOS FET Series Power Switching

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HAF1004L详情

Renesas HAF1004L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • MSL

    n/a

  • Package

    19 Rack

  • RoHS

  • Package Description

    IN-LINE, R-PSIP-T3

  • Package Style

    IN-LINE

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    HAF1004L

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Renesas Electronics Corporation

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    RENESAS ELECTRONICS CORP

  • Risk Rank

    5.31

  • Drain Current-Max (ID)

    5 A

  • 操作温度

    -20...+75°C

  • 系列

    TSC

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 输出类型

    single

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 注意

    -

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 输出电流

    6,5 A

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    5 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.34 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    10 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    20 W

  • 电源

    715 W

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HAF1004L拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS