Renesas HAF1010RJ-EL-E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOP

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

5

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

-

Pd - Power Dissipation

2.5 W

Transistor Polarity

P-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

60 V

Minimum Operating Temperature

-

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Qg - Gate Charge

-

Rds On - Drain-Source Resistance

340 mOhms

Id - Continuous Drain Current

5 A

Package Description

SOP-8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PRSP0008DD-D8

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HAF1010RJ-EL-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

1.76

Part Package Code

SOP

Drain Current-Max (ID)

5 A

操作温度

150°C

系列

-

无铅代码

有

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

输出的数量

1

输出类型

P-Channel

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1 Channel

界面

On/Off

最大输出电流

5A

输出配置

-

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

不需要

输入类型

Non-Inverting

开关类型

通用型

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

比率-输入：输出

1:1

电压-负荷

-3.5V ~ -12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.34 Ω

故障保护

Current Limiting (Fixed), Over Temperature

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

信道型

P

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W

Rds On(Typ)

200mOhm

特征

-