Renesas HAT1044M-EL-E

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

YES

供应商器件包装

6-TSOP

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Renesas

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Power Dissipation (Max)

1.05W (Ta)

Package Description

MODIFIED SC-95, TSOP-6

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

PTSP0006FA-A6

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HAT1044M-EL-E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.81

Part Package Code

TSOP

Drain Current-Max (ID)

4.5 A

系列

-

操作温度

150°C

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

60mOhm @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

600 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.105 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

18 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W

场效应管特性

-