HAT1108C-EL-E详情
Renesas HAT1108C-EL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
6
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
Nuvoton Technology Corporation
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
PWSF0006JA-A6
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
HAT1108C-EL-E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.82
Part Package Code
CMFPAK
Drain Current-Max (ID)
1.5 A
系列
-
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
类型
Audio
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F6
功能
Voice Record/Playback
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
注意
-
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
提供的内容
Board(s)
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.5 A
漏极-源极导通最大电阻
0.356 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.83 W
主要属性
-
嵌入式
-
次要属性
-
达到SVHC
compliant
HAT1108C-EL-E拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America








哦! 它是空的。